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羅姆研發中心主任晉升為IEEE高級會員!

IEEE

什麼是IEEE

IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineer,電氣與電子工程師協會)的總部位於美國,是全球最大的電氣與資訊工程領域學術研究組織和技術標準化機構。
IEEE在全球160多個國家擁有40多萬名會員,根據領域下分為39個分委員會,進行的活動有:出版論文期刊、舉辦國際會議、制定標準規範、促進會員交流等。
1963年成立之初,主要以電力電子、通訊、半導體等領域為中心進行,但近年來已擴展到機器人、自動化以及車輛技術等周邊領域。

什麼是高級會員

高級會員是IEEE會員中等級最高的會員,僅占所有會員的10%左右。
晉升的條件是“IEEE相關領域的工程師、科學家、教師和技術管理人員,從業經驗至少10年,並在其中5年以上有傑出表現(取得重大成就)”。除此之外,還需要由三名具有會士或高級會員或正式會員資格的會員提名推薦。
能夠晉升為高級會員,是IEEE對中原先生在電力電子和模擬技術方面的研究成果的認可,換言之,也是羅姆的研發活動具高水準的證明。

會員主要分類和等級

(根據IEEE Japan Council HP的內容製作)

推薦信中提到的研發成果

1.電力電子技術:2015年~至今

相關論文

[1] J. Kashiwagi, A. Yamaguchi, Y. Moriyama, and K. Nakahara, “Hysteretic Control Embedded Boost Converter Operating at 25-MHz Switching”, IEEE Trans. Circuits and Systems II: Exp. Briefs, Vol.66, pp. 101 (2019).

[2] Y. Nakakohara, H., T. M. Evans, T. Yoshida, M. Tsuruya, and K. Nakahara, "Three-Phase LLC Series Resonant DC/DC Converter Using SiC MOSFETs to Realize High-Voltage and High-Frequency Operation", IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.63, pp.2103 (2016)

[3] Miyazaki, H. Otake, Y. Nakakohara, M. Tsuruya, and K. Nakahara, “A Fanless Operating Trans-Linked Interleaved 5 kW Inverter Using SiC MOSFETs to Achieve 99% Power Conversion Efficiency”, IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.65, p.9429 (2018).

2.電力電子領域的模擬技術:2013年~至今

相關論文

[1] H. Sakairi, T.Yanagi, H. Otake, N. Kuroda, H. Tanigawa, and K. Nakahara, “Measurement Methodology for Accurate Modeling of SiC MOSFET Switching Behavior Over Wide Voltage and Current Ranges”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.33, pp.7314 (2018).

[2] Y. Nakamura, T. M. Evans, N. Kuroda, H. Sakairi, Y. Nakakohara, H. Otake, and K. Nakahara, “Electrothermal Cosimulation for Predicting the Power Loss and Temperature of SiC MOSFET Dies Assembled in a Power Module”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.35, pp.2950 (2020).

[3] J. Kashiwagi, H. Sakairi, H. Otake, Y. Nakakohara, and K. Nakahara, “Magnetic Near-Field Strength Prediction of a Power Module by Measurement-Independent Modeling of Its Structure”, IEEE Access, Vol.8, pp.101915 (2020).

研發中心主任簡介

中原 健
1995年加入羅姆。從事砷化鎵(GaAs)類鐳射二極體的開發和氧化鋅(ZnO)類LED、氮化鎵(GaN)功率元件、碳化矽(SiC)功率元件的研究。
從2019年起擔任研發中心主任,除新材料元件外,還主持功率模組、系統及模擬技術等多項研究。

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