S6602
1200V, 10A, 碳化矽(SiC)SBD裸晶片
S6602
S6602
1200V, 10A, 碳化矽(SiC)SBD裸晶片
S6602為SiC(碳化矽)外延平面型蕭特基二極體。可減少切換損失,實現高速切換操作。
關於裸晶片的販售,請諮詢敝公司營業處的相關規格。目前我們暫未於網路經銷商販售裸晶片。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
3rd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
- 低正向電壓
- 恢復時間/電流可忽略
- 與溫度無關的開關特性
- 高突波電流能力