BST47B1P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 750V, 47A, 全橋, 車電/工業級SiC功率模組
BST47B1P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 750V, 47A, 全橋, 車電/工業級SiC功率模組
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Description
BST47B1P4K01 是一款額定電壓為 750V 的高效能 SiC 模組，採用 4 合 1 結構，是車載充電器 (OBC) PFC 和 LLC 電路的理想選擇。HSDIP20 採用具有出色散熱性能的絕緣基板。這有助於即使在高功率條件下，仍可保持穩定的晶片溫度，從而在緊湊的尺寸內處理高電流。與頂部散熱的分立元件相比，其功率密度是前者的 3 倍以上，是其他 DIP 模組的 1.4 倍。在 PFC 應用中，它可減少約 52% 的安裝面積，大大有助於 OBC 等應用中電源轉換電路的微型化。由於模組中內建了必要的電源轉換電路，因此減少了設計工作量，並使 OBC 和其他應用中的電源轉換電路微型化。作為下一代汽車系統的關鍵解決方案，它支援高輸出、緊湊型電動動力總成的開發。應用範例
Product Detail
Specifications
Drain-source Voltage[V]
750
Drain Current[A]
47
Total Power Dissipation[W]
227
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
Full-Bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG 324 (Automotive Grade)
Features
- HSDIP20封裝，採用第四代SiC-MOSFET
- VDSS = 750V
- 低RDS(on)
- 可實現高速開關
- 低開關損耗
- Tvjmax = 175°C
- 緊湊型設計
- 具有高導熱絕緣性
- 整合NTC溫度感測器
- 4.2kV AC 1s絕緣
Videos & Catalogs
