ROHM Product Detail

BST31T1P4K01-VC (新產品)

HSDIP20, 750V, 31A, 3相橋式, 車電用/工業用SiC電源模組
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BST31T1P4K01-VC
(新產品)

BST31T1P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 750V, 31A, 3相橋式, 車電用/工業用SiC電源模組

BST31T1P4K01是額定750V的高性能SiC模塑模組，採用6合1結構，是車載充電器（OBC）PFC和LLC電路的理想選擇。HSDIP20採用絕緣基板，具有出色的散熱性能。這有助於即使在高功率條件下也能保持晶片溫度穩定，從而在緊湊的外形尺寸中實現高電流處理。與頂部散熱的分立式裝置相比，它提供超過3倍的功率密度，是其他DIP模組的1.4倍。在PFC應用中，它可以將安裝面積減少約52%，極大地有助於OBC等應用中電源轉換電路的小型化。模組中內建了必要的電源轉換電路，減少了設計工作量，並使OBC和其他應用中的電源轉換電路得以小型化。作為下一代汽車系統的關鍵解決方案，它支援高輸出、緊湊型電動動力傳動系統的開發。

應用範例

  • 汽車系統：車載充電器、電動壓縮機等。
  • 工業設備：電動汽車充電站、V2X系統、交流伺服、伺服器電源、光伏逆變器、電源調節器等。

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Product Detail

 
料號 | BST31T1P4K01-VC
狀態 | 推薦品
封裝 | HSDIP20
包裝形式 | Corrugated Cardboard
單位數量 | 180
最小包裝數量 | 60
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

31

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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功能:

  • HSDIP20封裝，採用第4代SiC-MOSFET
  • VDSS = 750V
  • 低RDS(on)
  • 可實現高速開關
  • 低開關損耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 緊湊設計
  • 具有高導熱絕緣性
  • 整合NTC溫度感測器
  • 4.2kV AC 1s絕緣

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