SiC(碳化矽)功率模組 - BSM600D12P3G001

BSM600D12P3G001是由羅姆公司生產的SiC-UMOSFET和SiC-SBD構成的全SiC半橋模組。最適合馬達驅動、逆變器、轉換器、太陽能發電、風力發電及感應加熱裝置等用途。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | BSM600D12P3G001
狀態 | 推薦品
封裝 | G
單位數量 | 4
最小包裝數量 | 4
包裝形式 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

576.0

Total Power Dissipation[W]

2450

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

功能:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.