SCT4050KR (新產品)
1200V, 32A, 4接腳THD, 溝槽結構, 碳化矽 (SiC) MOSFET
SCT4050KR (新產品)
1200V, 32A, 4接腳THD, 溝槽結構, 碳化矽 (SiC) MOSFET
SCT4050KR是一款碳化矽(SiC)溝槽型MOSFET。產品特點包括高耐壓、低導通電阻和高速切換。
ROHM 第四代SiC MOSFET的優點
與傳統產品相比,該系列導通電阻降低約40%,開關損耗降低約50%。15V的閘極-源極電壓使應用設計更為簡單。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
功能:
- 低導通電阻
- 高速切換
- 快速反向復原
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛接腳電鍍;符合RoHS指令