SCT4050KE (新產品)
1200V、32A、3接腳THD、溝槽結構、碳化矽(SiC) MOSFET
SCT4050KE (新產品)
1200V、32A、3接腳THD、溝槽結構、碳化矽(SiC) MOSFET
SCT4050KE是碳化矽(SiC)溝槽式MOSFET。其特點是高耐壓、低導通電阻和高速開關。
ROHM第四代SiC MOSFET的優勢
與傳統產品相比,本系列產品的導通電阻降低約40%,開關損耗降低約50%。 15V的閘極-源極電壓使應用設計更容易。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
功能:
- 低導通電阻
- 高速開關
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛引腳電鍍;符合RoHS指令