SCT4036DR (新產品)
750V, 42A, 4-pin THD, 溝槽結構SiC MOSFET
SCT4036DR (新產品)
750V, 42A, 4-pin THD, 溝槽結構SiC MOSFET
SCT4036DR是SiC(碳化矽)溝槽MOSFET。特點是耐高壓、低導通電阻、開關速度快。
ROHM 第四代SiC MOSFET的優點
與傳統產品相比,該系列的導通電阻降低約40%,開關損耗降低約50%。 15V的閘極-源極電壓使應用設計更輕鬆。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
功能:
- 低導通電阻
- 開關速度快
- 快速反向復原
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍;符合RoHS