N-channel SiC 功率MOSFET - SCT3105KL

溝槽閘極構造的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的導通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用逆變器等所有相關設備的功率損耗。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | SCT3105KLGC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-247N
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

105.0

Drain Current[A]

24.0

Total Power Dissipation[W]

134

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

・ Low on-resistance
・ Fast switching speed
・ Fast reverse recovery
・ Easy to parallel
・ Simple to drive
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant