SiC MOSFET - SCT2H12NZ

SCT2H12NZ是1700V 3.7A的Nch SiC功率MOSFET。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | SCT2H12NZGC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-3PFM
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150.0

Drain Current[A]

3.7

Total Power Dissipation[W]

35

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant