SiC MOSFET - SCT2080KE

基於SiC的平面型MOSFET。(SiC-SBD非一體型) 其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | SCT2080KEGC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-247N
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

80.0

Drain Current[A]

40.0

Total Power Dissipation[W]

262

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

・High-speed switching
・Low ON resistance
・Low body diode Qrr and trr
・Ensured reliability of body diode conduction