S4108
N-channel SiC（碳化矽）功率MOSFET bare die
S4108
S4108
N-channel SiC（碳化矽）功率MOSFET bare die
S4108是SiC（碳化矽）功率MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網路銷售及經由網路公司進行銷售。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
31
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
