N-channel SiC 功率MOSFET Ba​​re die - S4101

S4101是基於SiC的Trench MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網絡銷售及經由網絡公司進行銷售。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | S4101
狀態 | 可購買
封裝 |
單位數量 |
最小包裝數量 |
包裝形式 |
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

40.0

Drain Current[A]

55.0

Junction Temperature(Max.)[℃]

175

Storage Temperature (Min.)[℃]

-55

Storage Temperature (Max.)[℃]

175

功能:

· Low ON resistance
· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive