S4001
650V, 70A, SiC MOSFET裸晶
S4001
S4001
650V, 70A, SiC MOSFET裸晶
S4001為SiC溝槽式MOSFET。特點包括高耐壓能力、低導通電阻和快速切換速度。
若需購買裸晶，請聯繫我們的業務部洽詢規格。目前，我們不在網路經銷商販售裸晶。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
650
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
30
Generation
3rd Gen
Drain Current[A]
70
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
· 低導通電阻· 高速切換速度
· 快速反向恢復
· 易於並聯
· 驅動簡單
