BM3GF02MUV-LBZ (開發中)
內建650V GaN HEMT的功率因數校正控制器IC
BM3GF02MUV-LBZ (開發中)
內建650V GaN HEMT的功率因數校正控制器IC
本產品是針對工具機市場的產品。這是用於這些應用的最佳產品。BM3GF01MUV-LBZ、BM3GF02MUV-LBZ內建650V GaN HEMT和功率因數校正轉換器（PFC）作為開關元件，為所有需要改善功率因數的產品提供緊湊、最佳的系統。PFC IC採用邊界導通模式控制，通過零電流檢測可降低開關損耗並抑制雜訊。內建GaN HEMT有助於小型化和高效率。此外，本IC結合ROHM的內建GaN HEMT的QR IC，可外部控制PFC ON/OFF。在待機時不需要PFC的情況下，透過停止PFC有助於降低待機功耗。
Product Detail
規格:
Controller Type
PFC
Channel
1
Zero Detect
Auxiliary Winding
W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support
Yes (LowTHD)
Vin1 (Typ.)[V]
2.5
Reference Voltage Accuracy (%)
1.5
Brown Out
No
VCC Discharge
Yes
OVP System
1 way
FET
-
VS Pin Over Voltage Protection (L/A)
Auto Restart
Vin1(Max.)[V]
38
VS Short Protection (L/A)
Auto Restart
BR PIN
No
Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function
Yes
SW Frequency (Max.)[kHz]
250
Light Load mode
Yes
EN
Yes
Thermal Shut-down
Yes
Vmax (DrainMax) [V]
650
FET Withstand Voltage [V]
650
Under Voltage Lock Out
Yes
On Resistor (MOSFET)[Ω]
0.07
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
功能:
- 內建650V耐壓GaN HEMT
- 內建650V啟動電路
- 邊界導通模式PFC
- 關斷轉換速率調整腳位
- 內建低THD電路
- 使用PFCOFF腳位進行ON/OFF控制
- VCC腳位的UVLO功能
- 透過輔助繞組的ZCD
- 透過VS腳位的靜態OVP功能
- 透過VS腳位的誤差放大器輸入短路保護
- 啟動時的過電壓升壓降低功能
- 每週期過電流保護
