4.5V驅動型 Nch MOSFET - RQ3E080GN

場效電晶體的MOSFET。ROHM提供微細化製程的「超低導通電阻元件」並可應用在大範圍領域的功率MOSFET。並可依用途推出符合小型・高功率・複合化的多樣產品陣容對應市場上的各種需求。

雖然可以用於新設計,但可能會另行提供新的替代產品
* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | RQ3E080GNTB
狀態 | 可購買
封裝 | HSMT8
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Package Size[mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

18.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0175

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0129

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0175

Total gate charge Qg[nC]

2.8

Power Dissipation (PD)[W]

14.0

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4513

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

・ Low on - resistance.
・ High Power Package (HSMT8).
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant
・ Halogen Free