RQ1E075XN
4V Drive Nch MOSFET

場效電晶體MOSFET。透過高階製程技術並針對行動裝置開發出具有低導通電阻特性的低耗電功率MOSFET。依據不同的用途,我們也提供小型、高功率和複合品等豐富的產品線,以應市場需求。

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本產品不建議使用的車載設備。

Product Detail

 
料號 | RQ1E075XNTCR
狀態 | 可購買
封裝 | TSMT8
包裝形式 | Taping
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
RoHS | Yes

規格:

Package Code

TSMT8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

7.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.017

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.019

Total gate charge Qg[nC]

6.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.0x2.8 (t=0.85)

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