RA1C030LD
Nch 20V 3A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD
Nch 20V 3A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD是一款低導通電阻WLCSP MOSFET，非常適用於開關、單節電池驅動的應用以及移動應用產品。
Product Detail
規格:
Package Code
DSN1006-3
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.2
Total gate charge Qg[nC]
1.5
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.0x0.6 (t=0.25)
功能:
- Low on - resistance.
- High Power small Package.
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
- Halogen Free.
- ESD protection up to 200V (MM).
up to 2kV (HBM). - WLCSP (Wafer level chip size package)
Supporting Information
背景
近年來，隨著小型應用裝置朝向高性能化和多功能化方向發展，裝置內部所需的電量也呈增長趨勢，而電池尺寸的增加，也導致元件的安裝空間越來越少。此外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效利用有限的電池電量，就需要減少用電元件的功耗。
針對上述需求，開發易於小型化且採用特性優異的晶圓級晶片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業界主流。ROHM更利用身為IC製造商的優勢，透過靈活運用IC製程，大幅降低過去Discrete元件製程中會增加的佈線電阻，成功開發出功耗更低的小型功率MOSFET。
概要
「RA1C030LD」採用ROHM獨家IC製程的晶圓級晶片尺寸封裝DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），實現小型化的同時更降低了功耗。與相同封裝的市場競品相比，代表導通損耗和開關損耗之間關係的指標（導通電阻×Qgd）改善了約20%，達到業界頂級水準（1.0mm×0.6mm以下封裝產品之比較），非常有助縮減各種小型應用電路板上的元件占有面積，並進一步提高效率。另外，也採用ROHM獨家封裝結構，使側壁有絕緣膜的保護（相同封裝的市場競品無絕緣膜）。在受到空間限制而必須以高密度進行元件安裝的小型應用中，使用此款產品可降低因元件之間的接觸而導致的短路風險，將有助應用的安全運作。
應用範例
- ◇無線耳機等聽戴式裝置
- ◇智慧手錶、智慧眼鏡、極限運動相機等穿戴式裝置
- ◇智慧型手機
- 此外，還適用於各類型輕巧型裝置的開關應用。
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