RA1C030LD
Nch 20V 3A, SMM1006, WLCSP MOSFET

RA1C030LD是一款低導通電阻WLCSP MOSFET，非常適用於開關、單節電池驅動的應用以及移動應用產品。

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本產品不建議使用的車載設備。
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Product Detail

 
料號 | RA1C030LDT5CL
狀態 | 推薦品
封裝 | SMM1006
單位數量 | 15000
最小包裝數量 | 15000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Applications

Switching

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

3

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.08

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.2

Total gate charge Qg[nC]

1.5

Power Dissipation (PD)[W]

1

Drive Voltage[V]

1.8

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

0.6x1 (t=0.25)

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功能:

  • Low on - resistance.
  • High Power small Package.
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
  • Halogen Free.
  • ESD protection up to 200V (MM).
    up to 2kV (HBM).
  • WLCSP (Wafer level chip size package)

Supporting Information

 

背景

近年來，隨著小型應用裝置朝向高性能化和多功能化方向發展，裝置內部所需的電量也呈增長趨勢，而電池尺寸的增加，也導致元件的安裝空間越來越少。此外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效利用有限的電池電量，就需要減少用電元件的功耗。
針對上述需求，開發易於小型化且採用特性優異的晶圓級晶片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業界主流。ROHM更利用身為IC製造商的優勢，透過靈活運用IC製程，大幅降低過去Discrete元件製程中會增加的佈線電阻，成功開發出功耗更低的小型功率MOSFET。

概要

「RA1C030LD」採用ROHM獨家IC製程的晶圓級晶片尺寸封裝DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），實現小型化的同時更降低了功耗。與相同封裝的市場競品相比，代表導通損耗和開關損耗之間關係的指標（導通電阻×Qgd）改善了約20%，達到業界頂級水準（1.0mm×0.6mm以下封裝產品之比較），非常有助縮減各種小型應用電路板上的元件占有面積，並進一步提高效率。另外，也採用ROHM獨家封裝結構，使側壁有絕緣膜的保護（相同封裝的市場競品無絕緣膜）。在受到空間限制而必須以高密度進行元件安裝的小型應用中，使用此款產品可降低因元件之間的接觸而導致的短路風險，將有助應用的安全運作。

「RA1C030LD」和市場競品的功率損耗比較
「RA1C030LD」和市場競品的封裝構造比較

應用範例

  • ◇無線耳機等聽戴式裝置
  • ◇智慧手錶、智慧眼鏡、極限運動相機等穿戴式裝置
  • ◇智慧型手機

  • 此外，還適用於各類型輕巧型裝置的開關應用。
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