US6K4
1.8V Drive Nch+Nch MOSFET

場效電晶體MOSFET。整合2個Nch MOSFET元件。透過高階製程技術並針對行動裝置開發出具有低導通電阻特性的低耗電功率MOSFET。依據不同的用途,我們也提供小型、高功率和複合品等豐富的產品線,以應市場需求。

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本產品不建議使用的車載設備。

Product Detail

 
料號 | US6K4TR
狀態 | 可購買
封裝 | TUMT6
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

SOT-363T

Package Size [mm]

2x2.1 (t=0.85)

JEITA Package

SC-113DA

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.22

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.22

Total gate charge Qg[nC]

1.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

1.8

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

・1.8V驅動Type Nch+Nch 中功率MOSFET

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