US5U35
4V Drive Pch+SBD MOSFET

場效電晶體MOSFET。將採用高階製程技術的低導通電阻MOSFET與蕭特基二極體(SBD)做結合,豐富的產品線以回應各市場需求。

Data Sheet 購買 *
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。

Product Detail

 
料號 | US5U35TR
狀態 | 可購買
封裝 | TUMT5
包裝形式 | Taping
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
RoHS | Yes

規格:

Package Code

SOT-353T

JEITA Package

SC-113CA

Number of terminal

5

Polarity

Pch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

-45

Drain Current ID[A]

-0.7

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

1

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.9

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.6

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

1

Total gate charge Qg[nC]

1.7

Power Dissipation (PD)[W]

0.7

Drive Voltage[V]

-4

Reverse voltage VR (Diode) [V]

40

Forward Current IF (Diode) [A]

0.1

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

1

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.0x2.1 (t=0.82)

Find Similar

功能:

・以2.0×2.1mm的安裝面積實現了高功率、省空間的MOSFET
X

Most Viewed