1.5V Drive Nch+SBD MOSFET - QS5U36

場效電晶體MOSFET。將採用高階製程技術的低導通電阻MOSFET與蕭特基二極體(SBD)做結合,豐富的產品線以回應各市場需求。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | QS5U36TR
狀態 | 推薦品
封裝 | TSMT5
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size[mm]

2.9x2.8 (t=1.0)

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

2.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.12

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.074

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.058

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.12

Total gate charge Qg[nC]

3.5

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

1.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.7

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

3.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

・以2.9×2.8mm的安裝面積實現了高功率、省空間的MOSFET