QS5U34
1.8V Drive Nch+SBD MOSFET

場效電晶體MOSFET。將採用高階製程技術的低導通電阻MOSFET與蕭特基二極體(SBD)做結合,豐富的產品線以回應各市場需求。

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* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。

Product Detail

 
料號 | QS5U34TR
狀態 | 可購買
封裝 | TSMT5
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Package Code

SOT-25T

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

20

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)

0.22

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.13

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.22

Total gate charge Qg[nC]

1.8

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

1.8

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

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