QS5U13
2.5V Drive Nch+SBD MOSFET

場效電晶體MOSFET。將採用高階製程技術的低導通電阻MOSFET與蕭特基二極體(SBD)做結合，豐富的產品線以回應各市場需求。

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Product Detail

 
料號 | QS5U13TR
狀態 | 推薦品
封裝 | TSMT5
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Grade

Standard

Package Code

SOT-25T

Package Size [mm]

2.9x2.8 (t=1)

Number of terminal

5

Polarity

Nch+Schottky

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.11

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.076

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.071

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.11

Total gate charge Qg[nC]

2.8

Power Dissipation (PD)[W]

0.9

Drive Voltage[V]

2.5

Reverse voltage VR (Diode) [V]

20.0

Forward Current IF (Diode) [A]

0.5

Forward Current Surge Peak IFSM (Diode) [A]

2.0

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

功能:

・以2.9×2.8mm的安裝面積實現了高功率、省空間的MOSFET
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