RGW00TS65CHR (新產品)
High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD

The RGWxx65C series is a 650V IGBT with a built-in SiC schottky barrier diode, which reduces turn-on switching loss. This is an AEC-Q101 compliant product. It can be used with confidence even in harsh environments such as xEV on-board chargers, DC/DC converters, solar power conditioners, and UPS.

Product Detail

 
料號 | RGW00TS65CHRC11
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-247N
單位數量 | 450
最小包裝數量 | 30
包裝形式 | Tube
RoHS | Yes

規格:

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Series

W: High speed fast SW

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

50

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.5

tf(Typ.) [ns]

40

Built-in Diode

SiC-SBD

Pd [W]

254

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

16x21 (t=5.2)

功能:

  • AEC-Q101 Qualified
  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Supporting Information

 

背景

近年來,在全球「無碳社會」和「碳中和」等環保風潮中,電動車(xEV)得以日益普及。為了進一步提高系統效率,各種車電裝置的逆變器,以及轉換器電路中使用的功率半導體等,也出現了多樣化需求,超低損耗的SiC功率元件(SiC MOSFET、SiC SBD等),和傳統的Si功率元件(IGBT、SJ-MOSFET等)也都正持續大幅度的技術革新。
ROHM致力於為廣泛應用提供有效的電源解決方案,不僅專注於領先業界的SiC功率元件,更積極研發Si功率元件和驅動IC的技術及產品。本次就開發出了能為車電、工控裝置提供更高CP值的Hybrid IGBT。

RGWxx65C

概要

「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT產品,在IGBT的回流單元(飛輪二極體)中採用了ROHM的低損耗SiC蕭特基二極體(SiC SBD),成功降低了傳統IGBT產品導通時的切換損耗(以下稱“導通損耗”)。本產品使用在車電充電器時,與傳統IGBT產品相比,損耗可降低67%,與SJ-MOSFET相比,損耗可降低24%,有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。

特點

1. 損耗比傳統IGBT產品降低67%,提供車電和工控裝置更高的CP值

「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT,該IGBT的回流單元(飛輪二極體)中採用了ROHM的低損耗SiC SBD。與傳統使用Si快速恢復二極體(Si-FRD)的IGBT產品相比,可大幅降低導通損耗,例如在車電充電器應用中的損耗,比起傳統IGBT產品可降低67%。與通常損耗小於IGBT的SJ-MOSFET相比,損耗也可降低24%。在轉換效率方面,新產品可以在更廣的工作頻率範圍中確保97%以上的高效率,並且在100kHz的工作頻率下,效率比IGBT提高3%,有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。

2. 符合AEC-Q101標準,可在惡劣環境下使用

「RGWxx65C系列」符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」,即使在較嚴苛的環境下也可以安心使用。

應用範例

  • ・車載充電器
  • ・車電DC/DC轉換器
  • ・太陽能逆變器(功率調節器)
  • ・不斷電系統(UPS)