RGW00TS65CHR
超高速開關型, 650V 50A, TO-247N, 內置SiC-SBD的Hybrid IGBT
RGW00TS65CHR
超高速開關型, 650V 50A, TO-247N, 內置SiC-SBD的Hybrid IGBT
RGWxx65C系列是650V耐壓IGBT，採用SiC肖特基勢壘二極管作為續流二極管，實現了更低損耗。本產品還符合汽車電子產品可靠性標準“AEC-Q101”，即使在xEV車載充電器、DC-DC轉換器、太陽能發電用的功率調節器、不間斷電源裝置（UPS）等嚴苛環境下也可放心使用。
Product Detail
規格:
Series
W: High speed fast SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.5
tf(Typ.) [ns]
40
Built-in Diode
SiC-SBD
Pd [W]
254
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
功能:
- AEC-Q101 Qualified
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in No Recovery Silicon Carbide SBD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
Supporting Information
背景
近年來，在全球「無碳社會」和「碳中和」等環保風潮中，電動車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統效率，各種車電裝置的逆變器，以及轉換器電路中使用的功率半導體等，也出現了多樣化需求，超低損耗的SiC功率元件（SiC MOSFET、SiC SBD等），和傳統的Si功率元件（IGBT、SJ-MOSFET等）也都正持續大幅度的技術革新。
ROHM致力於為廣泛應用提供有效的電源解決方案，不僅專注於領先業界的SiC功率元件，更積極研發Si功率元件和驅動IC的技術及產品。本次就開發出了能為車電、工控裝置提供更高CP值的Hybrid IGBT。
概要
「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT產品，在IGBT的回流單元（飛輪二極體）中採用了ROHM的低損耗SiC蕭特基二極體（SiC SBD），成功降低了傳統IGBT產品導通時的切換損耗（以下稱“導通損耗”）。本產品使用在車電充電器時，與傳統IGBT產品相比，損耗可降低67%，與SJ-MOSFET相比，損耗可降低24%，有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。
特點
1. 損耗比傳統IGBT產品降低67%，提供車電和工控裝置更高的CP值
「RGWxx65C系列」是Hybrid型IGBT，該IGBT的回流單元（飛輪二極體）中採用了ROHM的低損耗SiC SBD。與傳統使用Si快速恢復二極體（Si-FRD）的IGBT產品相比，可大幅降低導通損耗，例如在車電充電器應用中的損耗，比起傳統IGBT產品可降低67%。與通常損耗小於IGBT的SJ-MOSFET相比，損耗也可降低24%。在轉換效率方面，新產品可以在更廣的工作頻率範圍中確保97%以上的高效率，並且在100kHz的工作頻率下，效率比IGBT提高3%，有助以更高的CP值進一步降低車電和工控裝置應用的功耗。
2. 符合AEC-Q101標準，可在惡劣環境下使用
「RGWxx65C系列」符合汽車電子產品可靠性標準「AEC-Q101」，即使在較嚴苛的環境下也可以安心使用。
應用範例
- ・車載充電器
- ・車電DC/DC轉換器
- ・太陽能逆變器（功率調節器）
- ・不斷電系統（UPS）
