短路耐量 5µs, 650V 25A, 內建快速回復二極體, LPDS, 場截止溝槽型IGBT - RGT50NS65D(LPDS)

ROHM的IGBT(絕緣閘極型雙極電晶體)產品為廣大的高電壓、大電流應用的高效化和節能化做出了貢獻。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | RGT50NS65DGTL
狀態 | 推薦品
封裝 | LPDS
單位數量 | 1000
最小包裝數量 | 1000
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

25

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

194

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant