BM3G115MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
BM3G115MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
本產品是針對工具機市場的優質產品。此為適用於這些應用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和效率的電子系統提供最佳解決方案。透過將650 V增強型GaN HEMT和矽驅動器整合到ROHM的原始封裝中，與傳統的離散式解決方案相比，由於PCB和打線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，可達到高達150 V/ns的高切換轉換率。另一方面，可調閘極驅動強度有助於降低EMI，各種保護和其他附加功能提供最佳的成本和PCB尺寸。此IC旨在適應主要現有控制器，因此它也可以用於取代傳統的離散式功率開關，例如Super Junction MOSFET。
Product Detail
規格:
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
1.2
Quiescent Current (Typ) [μA]
150
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
150
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
功能:
- Nano Cap™ 內建 5V LDO
- VDD腳位電壓的寬廣工作範圍
- IN腳位電壓的寬廣工作範圍
- 低VDD靜態電流和工作電流
- 低傳播延遲
- 高dv/dt抗擾度
- 可調閘極驅動強度
- 電源正常訊號輸出
- VDD UVLO保護
- 熱關斷保護
參考設計 / 應用評估套件
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- Evaluation Board - BM3G115MUV-EVK-003
The BM3G115MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G115MUV (GaN FET (650V 150mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET.
Videos & Catalogs
