BM3G107MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 70mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
BM3G107MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 70mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
本產品為工具機市場的等級產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和效率的電子系統提供最佳解決方案。透過將650 V增強型GaN HEMT和矽驅動器整合到ROHM的原創封裝中，與傳統的離散解決方案相比，PCB和打線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，可以實現高達150 V/ns的高切換轉換率。另一方面，可調閘極驅動強度有助於降低EMI，各種保護和其他附加功能提供最佳化的成本、PCB尺寸。本IC旨在適應主要的現有控制器，因此它也可以用於取代傳統的離散式功率開關，例如超級接面MOSFET。
Product Detail
規格:
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
2
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
70
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
功能:
- Nano Cap™ 整合式 5V LDO
- VDD引腳電壓工作範圍寬廣
- IN引腳電壓工作範圍寬廣
- 低VDD靜態和工作電流
- 低傳播延遲
- 高dv/dt抗擾性
- 可調閘極驅動強度
- 電源正常訊號輸出
- VDD UVLO保護
- 熱關斷保護
參考設計 / 應用評估套件
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- Evaluation Board - BM3G107MUV-EVK-003
The BM3G107MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G107MUV (GaN FET (650V 70mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET
Videos & Catalogs
