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SiC-MOSFET產品中破壞電壓規格的溫度條件?
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常見問題
SiC-MOSFET產品中破壞電壓規格的溫度條件?
常溫(Ta=25℃)。
高溫則漏電流與破壞電壓微幅增加。
Products:
Silicon-carbide (SiC) Power Devices
,
SiC MOSFETs
,
SiC Power Module
,
SiC MOSFET Bare Die
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