SiC-MOSFET的內接二極體的恢復時間相較於Si-MOSFET相當短是為何？|FAQ|ROHM Semiconductor

常見問題

SiC-MOSFET的內接二極體的恢復時間相較於Si-MOSFET相當短是為何？
- SiC-MOSFET的內接二極體為pn接合，由於少數載子壽命短，幾乎看不到少數載子的累積效果，呈現與SBD同等的超高速恢復性能(數十ns)。
  恢復時間與SBD相同，不依賴順方向注入電流、維持固定。(dI/dt為固定的情況下)。