常見問題
  • SiC-MOSFET、SiC模組產品的驅動閘極電壓偏離建議值(ON時+22V~+18V、OFF時-3V~-6V)會如何?
    • 若導通時的驅動閘極電壓低於15V,將無法充分導通,14V以下則導通電阻的溫度特性由正變負。
      如此一來若形成高溫則導通電阻下降,具有熱失控的危險性,必保持在15V以上。
      TZDB因為在40V以上,不擔心破壞閘極,但若持續施加超過DC額定(-6V/+22V)之電壓,由於存在於閘極氧化膜介面之Trap的影響,臨界值將慢慢變動。
      若是瞬間的突波電壓(300msec以內),由於臨界值電壓變動的影響小,若在-10V~+26V的範圍內則可承受。
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