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常見問題
  • SiC-MOSFET並聯時，要注意什麼？
    • 電力配線等方面若不均等，電流與晶片溫度將不均衡。
      若不配合開關的時間點，將造成過電流破壞。
      Vgs(on)不夠高時，Ron的溫度特性將變成負數，電流集中至特定的晶片，會有熱失控破壞的危險。
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