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常見問題
  • 是否可於在集極射極間施加耐壓與反方向電壓？
    • NPN電晶體在將射極接地時，對集極施加正電壓時的耐壓即為規格書中所記載的VCEO (PNP電晶體在將集極接地時，對射極所施加的正電壓為VCEO。)
      與此反方向(NPN的情形下，將集極接地，對射極施加正電壓時)的耐壓與射基極間的耐壓大約相同。射極-基極間之耐壓一般為5-7V，因此集極-射極間的逆向電壓請保持在5V以下(在集極-射極間加上大約與耐壓?相同的反向電壓時，可能會造成hFE?降低)。若集極-射極間的反向電壓在5V以下，則電流的流通程度僅約略與漏電流相同。





      如上所示，數位電晶體亦可在集極-射極間(OUT-GND間)施加5V以下的反向電壓。若GND-IN間有電阻的時候，電流將透過這個電阻流過。
      • Products: General Purpose Bipolar Transistors , Complex Transistors , Darlington Transistors