一旦寫入次數超過100萬次時，會發生什麼現象？可預見將發生資料錯亂的情形，但是否會發生無法寫入的情形呢？|FAQ|ROHM Semiconductor

常見問題

一旦寫入次數超過100萬次時，會發生什麼現象？可預見將發生資料錯亂的情形，但是否會發生無法寫入的情形呢？
- 當EEPROM寫入次數超過100萬次，記憶體單元內浮動閘極(Floating Gate)上將不容易存蓄電荷，因此無法寫入資料。
  此時，無法存蓄電荷的單元就會變為L。