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一旦寫入次數超過100萬次時,會發生什麼現象? 可預見將發生資料錯亂的情形,但是否會發生無法寫入的情形呢?
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常見問題
一旦寫入次數超過100萬次時,會發生什麼現象? 可預見將發生資料錯亂的情形,但是否會發生無法寫入的情形呢?
當EEPROM寫入次數超過100萬次,記憶體單元內浮動閘極(Floating Gate)上將不容易存蓄電荷,因此無法寫入資料。
此時,無法存蓄電荷的單元就會變為L。
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