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一旦寫入次數超過100萬次時，會發生什麼現象？ 可預見將發生資料錯亂的情形，但是否會發生無法寫入的情形呢？
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常見問題
一旦寫入次數超過100萬次時，會發生什麼現象？ 可預見將發生資料錯亂的情形，但是否會發生無法寫入的情形呢？
當EEPROM寫入次數超過100萬次，記憶體單元內浮動閘極(Floating Gate)上將不容易存蓄電荷，因此無法寫入資料。
此時，無法存蓄電荷的單元就會變為L。
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