YQ3VWM10B
溝槽式MOS結構、100V、3A、PMDE、高效率SBD
YQ3VWM10B
溝槽式MOS結構、100V、3A、PMDE、高效率SBD
YQ3VWM10B是高效率蕭特基二極體，設計用於改善低VF和低IR之間的權衡。儘管具有低VF，它仍能在高溫下實現穩定操作。適用於開關電源、續流二極體和反向極性保護應用。
Product Detail
規格:
Configuration
Single
Package Code
PMDE
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
3
IFSM[A]
30
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.88
IF @ Forward Voltage [A]
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
功能:
- 高可靠性
- 小型電源模製型
- 低VF和低IR
- 低電容
Videos & Catalogs
