ROHM首次推出矽電容「BTD1RVFL系列」
0402業界最小※尺寸表面安裝型量產產品 助力智慧型手機等應用進一步節省空間！

※2023年9月26日 ROHM調查

2023年9月26日

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）新推出在智慧型手機和穿戴式設備等領域中，應用日益廣泛的矽電容。利用ROHM長年累積的矽半導體加工技術，該產品同時實現了更小的尺寸和更高的性能。

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隨著智慧型手機等應用端的功能增加和性能提升，業界對於可支援高密度安裝的小型元件需求日益增加。矽電容採用薄膜半導體技術，與積層陶瓷電容（MLCC）相比，具有厚度更薄且電容量更大的特點。由於其穩定的溫度特性和出色的可靠性，產品應用也越來越廣泛。ROHM預測矽電容的市場規模將在2030年成長至3000億日幣※，約為2022年時的1.5倍，因此透過獨家半導體製程開發出小型且高性能的矽電容。

ROHM的矽電容採用了以1μm為單位進行加工的獨家微細化技術RASMID™*1，不僅消除了外觀成型過程中的缺陷，並實現了±10μm以內的高精度尺寸公差。由於產品尺寸波動很小，因此能夠支援更窄的安裝間距；另外更透過將連接電路板的背面電極擴大至封裝的邊緣部位，有效提高了安裝強度。
第一波產品「BTD1RVFL系列」的尺寸僅為0402（0.4mm×0.2mm），是業界最小尺寸的表面安裝型量產矽電容。與0603尺寸的市場競品相比，安裝面積減小約55%，僅為0.08mm2，非常有助應用產品小型化。另外新產品還內建TVS保護元件，可確保出色的ESD*2耐受能力，減少突波對策等電路設計工時。
「BTD1RVFL系列」包含了電容量為1000pF的「BTD1RVFL102」和電容量為470pF的「BTD1RVFL471」，已從2023年8月開始以每月50萬個的規模投入量產（樣品價格：800日元/個，未稅）。前段製程的生產據點為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後段製程的生產據點為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）。
ROHM計畫於2024年針對高速和大容量通訊設備等應用領域，開發高頻特性優異的第二波系列產品。另外ROHM更將致力開發適用於伺服器等工控設備領域的產品，進一步擴大應用範圍。

矽電容的封裝尺寸與安裝強度比較
在通訊電路上的安裝面積比較（示意圖）

＜產品陣容＞

產品型號 Datasheet 額定電壓
[V]		 崩潰
電壓
[V]		 靜電容量
[pF]		 靜電容量
容許誤差
[%]		 溫度係數
[ppm/℃]		 ESD耐受量
[kV]		 動作溫度
[℃]		 封裝
[mm]
NewBTD1RVFL102 PDF 3.6 8.2
～
9.2		 1000 ±15 0±250 ±8 －55
～
＋150		 Package
DSN0402-2
（0.4×0.2×0.185）
☆BTD1RVFL681 - 680
NewBTD1RVFL471 PDF 470
☆BTD1RVFL331 - 330
☆BTD1RVFL221 - 220
☆BTD1RVFL151 - 150
☆BTD1RVFL101 - 100

☆：開發中

＜應用範例＞

・智慧型手機、穿戴式設備、小型物聯網設備、光纖收發器 等。

＜名詞解釋＞

*1) RASMID™
是ROHM Advanced Smart Micro Device的簡稱。利用與傳統方法完全不同的全新製程，成功實現了小型化和高精度尺寸（±10μm以內）的超小型產品系列。
RASMID

・RASMID™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

*2) ESD（Electro-Static Discharge：靜電放電）
當人體與電子設備等帶電物體接觸時，會產生靜電（突波）。這種靜電（突波）會導致電路和設備發生誤動作或損壞。