ROHM首次推出矽電容「BTD1RVFL系列」
0402業界最小尺寸表面安裝型量產產品 助力智慧型手機等應用進一步節省空間!

※2023年9月26日 ROHM調查

2023年9月26日

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)新推出在智慧型手機和穿戴式設備等領域中,應用日益廣泛的矽電容。利用ROHM長年累積的矽半導體加工技術,該產品同時實現了更小的尺寸和更高的性能。

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隨著智慧型手機等應用端的功能增加和性能提升,業界對於可支援高密度安裝的小型元件需求日益增加。矽電容採用薄膜半導體技術,與積層陶瓷電容(MLCC)相比,具有厚度更薄且電容量更大的特點。由於其穩定的溫度特性和出色的可靠性,產品應用也越來越廣泛。ROHM預測矽電容的市場規模將在2030年成長至3000億日幣,約為2022年時的1.5倍,因此透過獨家半導體製程開發出小型且高性能的矽電容。

ROHM的矽電容採用了以1μm為單位進行加工的獨家微細化技術RASMID™*1,不僅消除了外觀成型過程中的缺陷,並實現了±10μm以內的高精度尺寸公差。由於產品尺寸波動很小,因此能夠支援更窄的安裝間距;另外更透過將連接電路板的背面電極擴大至封裝的邊緣部位,有效提高了安裝強度。
第一波產品「BTD1RVFL系列」的尺寸僅為0402(0.4mm×0.2mm),是業界最小尺寸的表面安裝型量產矽電容。與0603尺寸的市場競品相比,安裝面積減小約55%,僅為0.08mm2,非常有助應用產品小型化。另外新產品還內建TVS保護元件,可確保出色的ESD*2耐受能力,減少突波對策等電路設計工時。
「BTD1RVFL系列」包含了電容量為1000pF的「BTD1RVFL102」和電容量為470pF的「BTD1RVFL471」,已從2023年8月開始以每月50萬個的規模投入量產(樣品價格:800日元/個,未稅)。前段製程的生產據點為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠),後段製程的生產據點為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)。
ROHM計畫於2024年針對高速和大容量通訊設備等應用領域,開發高頻特性優異的第二波系列產品。另外ROHM更將致力開發適用於伺服器等工控設備領域的產品,進一步擴大應用範圍。

矽電容的封裝尺寸與安裝強度比較
在通訊電路上的安裝面積比較(示意圖)

<產品陣容>

產品型號 Datasheet 額定電壓
[V]
崩潰
電壓
[V]
靜電容量
[pF]
靜電容量
容許誤差
[%]
溫度係數
[ppm/℃]
ESD耐受量
[kV]
動作溫度
[℃]
封裝
[mm]
NewBTD1RVFL102 PDF 3.6 8.2

9.2
1000 ±15 0±250 ±8 -55

+150
Package
DSN0402-2
(0.4×0.2×0.185)
☆BTD1RVFL681 - 680
NewBTD1RVFL471 PDF 470
☆BTD1RVFL331 - 330
☆BTD1RVFL221 - 220
☆BTD1RVFL151 - 150
☆BTD1RVFL101 - 100

☆:開發中

<應用範例>

・智慧型手機、穿戴式設備、小型物聯網設備、光纖收發器 等。

<名詞解釋>

*1) RASMID™
是ROHM Advanced Smart Micro Device的簡稱。利用與傳統方法完全不同的全新製程,成功實現了小型化和高精度尺寸(±10μm以內)的超小型產品系列。
RASMID

・RASMID™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

*2) ESD(Electro-Static Discharge:靜電放電)
當人體與電子設備等帶電物體接觸時,會產生靜電(突波)。這種靜電(突波)會導致電路和設備發生誤動作或損壞。