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ROHM開始量產適合高耐壓GaN元件驅動的絕緣閘極驅動器IC

2025年5月27日

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助馬達和伺服器電源等大電流應用進一步縮減體積並提高效率。

BM6GD11BFJ-LB

新產品是ROHM首款針對高耐壓GaN HEMT的絕緣閘極驅動器IC。在電壓反覆急遽升降的開關工作中，使用本產品可將元件與控制電路隔離，確保訊號的安全傳輸。

透過ROHM自主開發的On-chip絕緣技術，新產品能有效降低寄生電容，實現高達2MHz的高頻驅動。藉由充分發揮GaN元件的高速開關特性，不僅有助應用產品更節能和實現更高性能，更可透過週邊元件的小型化來減少安裝面積。

另外絕緣閘極驅動器IC的抗雜訊性能指標：Common-Mode Transient Immunity（CMTI）*1更達到了150V/ns（奈秒），是傳統產品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關時高轉換速率所引發的誤動作，有助系統實現穩定控制。此外最小脈衝寬度較傳統產品縮減33%，導通時間縮短至65ns。因此雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，將損耗控制在更低程度。

GaN元件的閘極驅動電壓範圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產品可充分發揮高耐壓GaN元件（包括ROHM EcoGaN™系列產品中新增的650V耐壓GaN HEMT「GNP2070TD-Z」）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業界頂級低功耗水準，並且可有效降低待機功耗。

新產品已於2025年3月開始量產（樣品價格：600日元/個，未稅），並已開始透過電商平台銷售。

EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。

＜開發背景＞

在全球能源消耗逐年攀升的背景下，節能對策已成為世界各國共同面臨的課題。值得注意的是，據調查「馬達」和「電源」消耗的電量約占全球總用電量的97%。而改善「馬達」和「電源」效率的關鍵就在於採用碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等新世代材料製造、負責功率控制和轉換的新世代功率元件。

ROHM充分發揮了在矽半導體和SiC絕緣閘極驅動器IC開發過程中所累積的技術優勢，成功推出第一波產品—專為GaN元件驅動而優化的絕緣閘極驅動器IC。今後ROHM將配套提供GaN元件驅動用的閘極驅動器IC與GaN元件，助力應用產品的設計更便利。

＜應用示例＞

◇工業設備：PV Inverter、ESS（儲能系統）、通訊基地台、伺服器、工業馬達等電源
◇消費性電子：白色家電、AC adapter（USB充電器）、電腦、電視、冰箱、空調

＜名詞解釋＞

*1) Common-Mode Transient Immunity（CMTI）
絕緣閘極驅動器的主要參數之一，是指產品對短時間內所發生的電壓急遽變化的耐受能力。特別是驅動GaN HEMT等轉換速率較高的元件時，容易產生急遽的電壓變化，透過CMTI性能優異的閘極驅動器，可有效防止元件損壞，並降低電路的短路風險。