ROHM Product Detail

BST70M2P4K01-VC (新產品)

HSDIP20, 1200V, 70/38A, 3-Phase-bridge, 車電用/工具機市場 SiC Power Module
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BST70M2P4K01-VC
(新產品)

BST70M2P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 1200V, 70/38A, 3-Phase-bridge, 車電用/工具機市場 SiC Power Module

BST70M2P4K01是一款高性能SiC模組，額定電壓為1200V，採用6合1結構，是車載充電器（OBC）PFC和LLC電路的理想選擇。HSDIP20具有絕緣基板，散熱性能優異。即使在高功率條件下，這也有助於保持穩定的晶片溫度，從而在緊湊的外形尺寸內實現高電流處理能力。與頂部散熱分立元件相比，其功率密度是頂部散熱分立元件的3倍以上，是其他DIP模組的1.4倍。在PFC應用中，它可以將安裝面積減少約52%，極大地有助於OBC等應用中功率轉換電路的微型化。該模組內建必要的功率轉換電路，可減少設計工作量，並實現OBC和其他應用中功率轉換電路的微型化。作為下一代車電用系統的關鍵解決方案，它支援高輸出、緊湊型電動動力總成的開發。

應用範例

  • 車電用系統：車載充電器、電動壓縮機等。
  • 工具機市場：EV充電站、V2X系統、AC伺服、伺服器電源、光伏逆變器、電能調節器等。

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Product Detail

 
料號 | BST70M2P4K01-VC
狀態 | 可購買
封裝 | HSDIP20
包裝形式 | Corrugated Cardboard
單位數量 | 180
最小包裝數量 | 60
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

70/38

Total Power Dissipation[W]

385/227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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功能:

  • 採用第四代SiC-MOSFET的HSDIP20封裝
  • VDSS = 1200V
  • 低RDS(on)
  • 可實現高速切換
  • 低切換損耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 緊湊型設計
  • 具有高導熱絕緣性能
  • 集成NTC溫度感測器
  • 4.2kV AC 1s絕緣

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