ROHM Product Detail

BST25B2P4K01-VC (新產品)

HSDIP20, 1200V, 25A, 全橋、車電用/工業級SiC功率模組
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BST25B2P4K01-VC
(新產品)

BST25B2P4K01-VC (新產品)
HSDIP20, 1200V, 25A, 全橋、車電用/工業級SiC功率模組

BST25B2P4K01是額定值為1200V的高性能SiC模組，採用4合1結構，最適用於車載充電器（OBC）中的PFC和LLC電路。HSDIP20採用具備出色散熱特性的絕緣基板。即使在高功率條件下，這也有助於保持晶片溫度穩定，從而在緊湊的外形中實現高電流處理。與頂部冷卻的分離式元件相比，它的功率密度增加了3倍以上，是其他DIP模組的1.4倍。在PFC應用中，可將安裝面積減少約52%，極大地有助於OBC等應用中的功率轉換電路實現小型化。由於模組中內建了必要的功率轉換電路，它減少了設計工作量，並使OBC和其他應用中的功率轉換電路實現小型化。作為下一代汽車系統的關鍵解決方案，它支援高輸出、緊湊型電動動力系統的開發。

應用範例

  • 汽車系統：車載充電器、電動壓縮機等。
  • 工業設備：EV充電站、V2X系統、AC伺服、伺服器電源、PV逆變器、功率調節器等。

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Product Detail

 
料號 | BST25B2P4K01-VC
狀態 | 推薦品
封裝 | HSDIP20
包裝形式 | Corrugated Cardboard
單位數量 | 180
最小包裝數量 | 60
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

25

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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功能:

  • 採用第四代SiC-MOSFET的HSDIP20封裝
  • VDSS = 1200V
  • 低RDS(on)
  • 可實現高速切換
  • 低切換損耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 緊湊設計
  • 具有高導熱絕緣
  • 整合NTC溫度感測器
  • 4.2kV AC 1s絕緣

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