SCT4090KR (新產品)
1200V, 19A, 4-pin THD, 溝槽結構, 碳化矽 (SiC) MOSFET
SCT4090KR (新產品)
1200V, 19A, 4-pin THD, 溝槽結構, 碳化矽 (SiC) MOSFET
SCT4090KR是一款SiC(碳化矽)溝槽MOSFET。其特點包括高耐壓、低導通電阻和快速切換速度。
ROHM第四代SiC MOSFET的優勢
與傳統產品相比,該系列導通電阻約降低40%,開關損耗約降低50%。15V的柵源電壓使得應用設計更容易。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
90
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
19
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
功能:
- 低導通電阻
- 快速切換速度
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛引線電鍍;符合RoHS指令