ROHM Product Detail

SCT4065DR (新產品)

750V, 25A, 4-pin THD, 溝槽結構SiC MOSFET

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SCT4065DR

(新產品)

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SCT4065DR是SiC(碳化矽)溝槽式MOSFET。特點包括高耐壓、低導通電阻和快速開關速度。

ROHM第四代SiC MOSFET的優勢
與傳統產品相比，此系列導通電阻降低約40%，開關損耗降低約50%。15V的閘極源極電壓使應用設計更簡單。

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* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。

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料號 | SCT4065DRC15

狀態 | 推薦品

封裝 | TO-247-4L

包裝形式 | Tube

單位數量 | 450

最小包裝數量 | 30

RoHS | Yes

Drain-source Voltage[V]

750

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

Generation

4th Gen (Trench)

Drain Current[A]

Total Power Dissipation[W]

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

23.45x16.0 (t=5.2)

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