SCT4036DRHR (新產品)
750V、42A、4引腳THD、溝槽結構、車電用碳化矽(SiC) MOSFET
SCT4036DRHR (新產品)
750V、42A、4引腳THD、溝槽結構、車電用碳化矽(SiC) MOSFET
AEC-Q101合格車電用產品。SCT4036DRHR是SiC(碳化矽)溝槽MOSFET。具有高耐壓、低導通電阻和高速切換等特點。
ROHM第四代SiC MOSFET的優勢
與傳統產品相比，本系列導通電阻降低約40%，切換損耗降低約50%。15V的柵源電壓使應用設計更容易。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
功能:
- 符合AEC-Q101標準
- 低導通電阻
- 快速切換速度
- 快速反向恢復
- 易於並聯
- 易於驅動
- 無鉛電鍍；符合RoHS標準
