N-channel SiC 功率MOSFET - SCT2H12NY

基於SiC的平面型MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。

* 本產品是標準級的產品。本產品不建議使用的車載設備。
料號 | SCT2H12NYTB
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-268-2L
單位數量 | 800
最小包裝數量 | 800
包裝形式 | Taping
RoHS | Yes

規格:

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150.0

Drain Current[A]

4.0

Total Power Dissipation[W]

44

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

功能:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Long creepage distance with no center lead
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating; RoHS compliant