ROHM Product Detail

SCT2H12NWB

1700V, 3.9A, 7-pin SMD, SiC MOSFET
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SCT2H12NWB
1700V, 3.9A, 7-pin SMD, SiC MOSFET

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料號 | SCT2H12NWBTL1
狀態 | 推薦品
封裝 | TO-263CA-7LSHYAD
包裝形式 | Taping
單位數量 | 800
最小包裝數量 | 800
RoHS | Yes
* 本產品是標準級的產品。 本產品不建議使用的車載設備。

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PLECS Model PSIM Model
 

Description

SCT2H12NWB 是一款SiC（碳化矽）平面MOSFET。（未與SiC-SBD共同封裝）具有高耐壓、低導通電阻、高速開關等特點。

Product Detail

Specifications

Specifications

Drain-source Voltage[V]

1700

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

1150

Generation

2nd Gen (Planar)

Drain Current[A]

3.9

Total Power Dissipation[W]

39

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

15.5x10.2 (t=4.7)

Features

  • 低導通電阻
  • 高速開關
  • 寬爬電距離 = 6.1 mm
  • 易於驅動
  • 無鉛引線電鍍；符合RoHS標準
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