S2306
N-channel SiC 功率MOSFET Bare die
S2306
S2306
N-channel SiC 功率MOSFET Bare die
S2306是基於SiC的平面型MOSFET。其特徵是高耐壓、低導通電阻、高速開關。
關於Bare Die的銷售請向本公司銷售部門諮詢規格。現在尚未進行網絡銷售及經由網絡公司進行銷售。
Data Sheet
* 本產品是標準級的產品。
本產品不建議使用的車載設備。
本產品不建議使用的車載設備。
Product Detail
規格:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
160
Generation
2nd Gen
Drain Current[A]
22
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
功能:
· Low ON resistance· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive
