ROHM Product Detail

RQ3E120GN

4.5V驅動N-channel-MOSFET
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RQ3E120GN
4.5V驅動N-channel-MOSFET

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料號 | RQ3E120GNTB
狀態 | 可購買
封裝 | HSMT8 (Single,TB)
包裝形式 | Taping
單位數量 | 3000
最小包裝數量 | 3000
RoHS | Yes
* 本產品是標準級的產品。 本產品不建議使用的車載設備。

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Land Pattern Package Dimensions MSL LTSpice Model SPICE Model Thermal Model
 

Description

功率MOSFET採用微處理技術，可作為低導通電阻元件，適用於廣泛的應用。我們提供多樣化的產品陣容，包含小尺寸型、大功率型與複合型，以滿足市場上各種需求。

Product Detail

Specifications

Specifications

Package Code

HSMT8

Applications

Power Supply

Number of terminal

8

Polarity

N

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

27

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.0091

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0067

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.0091

Total gate charge Qg[nC]

4.8

Power Dissipation (PD)[W]

15

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Bare Die Part Number

Available: K4503

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

Features

・低導通電阻。
・大功率封裝 (HSMT8)
・無鉛電鍍；符合RoHS指令
・無鹵素
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