RE1C002UN
1.2V驅動N溝道MOSFET
RE1C002UN
1.2V驅動N溝道MOSFET
Description
MOSFET採用適用於低耗電行動裝置的微處理技術製成,以實現超低導通電阻。 產品陣容廣泛,包含緊湊型、高功率型和複合型,可滿足市場需求。
Product Detail
Specifications
Package Code
SOT-416FL
JEITA Package
SC-89
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
1.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
1.6
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.85)
Features
· 低電壓 (1.2V) 驅動型· N溝道小訊號MOSFET
· 小型表面安裝封裝
· 無鉛/符合RoHS規範