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GaN HEMT
GaN（氮化鎵）是一種化合物半導體材料，作為下一代功率器件用的材料被寄予厚望。與以往的Si器件相比，其開關性能和高頻性能更加出色，因而在市場上的應用日益廣泛。
不僅如此，其導通電阻也低於Si器件，有望助力眾多應用實現更低功耗和小型化。
150V GaN HEMT
ROHM成功地將最大柵-源額定電壓值提高至8V，產品非常適用於包括基站和數據中心在內的眾多工業設備。
650V GaN HEMT
作為650V耐壓的GaN器件，實現了業內出色的FOM（Figure of Merit），有助於提高電源效率，還可大大降低開關損耗，助力各種電源系統進一步提高效率。
ROHM將有助於應用產品的節能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN™系列”，並始終致力於進一步提高器件的性能。另外，ROHM不僅致力於元器件的開發，還與業內相關企業積極建立戰略合作夥伴關係並推動聯合開發，通過助力應用產品的效率提升和小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
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