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GaN HEMT
GaN（氮化鎵）是一種化合物半導體材料，作為次世代功率元件被市場寄予厚望。與Si元件相比，其開關性能和高頻性能更加出色，因而在市場上的應用日益廣泛。
不僅如此，其導通電阻也低於Si元件，可助力眾多應用實現低功耗和小型化。
150V GaN HEMT
ROHM成功地將閘極-源極間額定電壓提高至8V，非常適用於包括基地台和資料中心在內的眾多工業設備。
650V GaN HEMT
作為650V耐壓的GaN元件，實現了業界頂級FOM（Figure of Merit），有助提高電源效率，還可大幅降低開關損耗，助力各種電源系統進一步提高效率。
ROHM將有助應用產品節能和小型化的GaN元件命名為「EcoGaN™系列」，致力進一步提高元件性能。ROHM不僅致力於元件開發，還與業界相關企業積極建立戰略合作夥伴關係並推動聯合開發，透過提升應用產品效率和實現小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。
* EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或註冊商標。
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