羅姆半導體集團 - ROHM Semiconductor

ROHM FAQ

常見問題

SiC-MOSFET串聯時，要注意什麼？
- ‧上側裝置的對地絕緣僅能保證裝置的絕緣耐電壓。
  需‧要串連數的閘極電壓用浮動電源。
  ‧串聯時，由於導通電阻的溫度係數為正數，為了防止熱失控，考量產品的誤差，請保留充分的電流降額。
  ‧以串聯作為高耐壓的單刀開關使用時，建議採取透過並聯插入高電阻等可適當分壓的對策。
  ‧若不校準開關的時間點，將造成過耐壓破壞。