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SiC 模組並聯驅動振盪的抑制方法

SiC MOSFET與傳統Si元件相比，是一種具有高電壓、大電流、高速驅動、低損耗、高溫穩定等諸多優點的新一代元件。近年來，利用上述優異特性，作為往大功率發展的電動汽車(EV)的牽引逆變器電路，連接多個SiC MOSFET元件的功率模組被並聯使用的情況越來越多。
另一方面，由於並聯使用上述高速元件，有時會發生元件間的並聯驅動振盪 (以下簡稱振盪)。若發生振盪將有元件破壞的危險，因此抑制對策也成為市場的重要課題之一。
本應用筆記將介紹有效抑制功率模組振盪的方法。

目錄

1. 基礎理論
　1-1. 振盪發生的機制
　1-2. 振盪抑制的想法（改善相位差）
　1-3. 影響相位裕量的實際參數
2. 模組的寄生電感Ldd, Lgg, Lss
　2-1. Ldd, Lgg, Lss的定義
　2-2. 模組佈局中的Ldd, Lgg, Lss
3. 總結
4. 參考文獻

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